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光伏制造年研发投入超千万元

时间:2013-09-25  来源:中国电子元件网  浏览次数:318

  近日,由工业和信息化部主导的《光伏制造行业规范条件》(以下简称《条件》)在结束意见征求之后正式对外发布。《条件》针对光伏硅片、电池组件等制造业各环节在生产布局与项目设立、生产规模和工艺技术、资源综合利用及能耗等多个方面划定门槛,不符合条件的光伏制造企业和项目将受到严控。

  按照本次公布的准入条件,光伏制造企业必须具有省级以上独立研发机构、技术中心或高新技术企业资质,且每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3且不少于1000万元。相较以往,准入条件全面提高。

  除了在技术研发上提升资金投入,《条件》还明确提出,新建和改扩建企业生产的多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18和20,多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5和17.5.

  《条件》指出,不符合规范条件要求的光伏制造企业及项目,其产品将不得享受出口退税、国内应用扶持等政策支持。此外,还需根据产业转型升级的要求,在国家产业政策的指导下,通过兼并重组、技术改造等方式,尽快达到本规范条件的要求。

  据悉,《条件》将于10月17日正式实施,原《多晶硅行业准入条件》同时废止。

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