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韩国研究人员研制下一代钨硒2维纳米膜光二极管元件

时间:2018-02-08  来源:中国电子元件网  浏览次数:1321

  韩国科学技术研究院发布消息称,该院光电材料研究小组将钨硒2维纳米膜与1维氧化锌纳米线双重结合,研发出能感知从紫外线到近红外线的下一代光二极管元件。该研究成果在国际学术期刊《Advanced Functional Materials》(IF)上刊登。

  光二极管元件是影响手机摄像头、数码相机像素的重要部分,在摄像头中使用的图像传感器可通过光二极管元件感知光线后转换成电子信号,然后通过芯片对信号进行处理。低维纳米半导体材料是未来半导体材料的主要发展方向。

  此次研究组使用的钨硒2维纳米膜属于硫属元素的一种,是可以在柔软显示屏、传感器、柔软电子元件使用的2维压层结晶纳米P型半导体材料,具有持久耐用、准确性高的特点。而1维氧化锌(ZnO)纳米线,是一款可应用于高性能电子芯片的n型半导体材料,具有极佳的电子移动特性。研究组运用化学气象沉积方法将合成的1维氧化锌纳米线与2维纳米膜混合形成(PN)型光二极管元件,将其运用到图像传感器像素中。

  研究组负责人表示,此次研发的新型元件,将进一步推动以纳米半导体像素为基础的下一代图像传感器元件的商业化进程。

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