TrendForce：第三季行动式内存产值季增16.8

　　  TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)*新调查显示，受惠于全球智能手机进入传统备货旺季，加上各DRAM产品价格同步上扬，第三季行动式内存总产值达45.88亿美元，季成长约16.8%。

　　  DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，第三季有苹果iPhone 7与三星Note 7旗舰机型发布，让全球行动式内存出货大增，纵使Note 7受爆炸影响于第四季宣布停产，先前的备料动作已为第三季行动式内存的营收做出贡献。

　　  以三大DRAM厂行动式内存营收市占来看，三星半导体营收持续扩大到约64.5%，SK海力士约为22.8%，美光半导体为10.6%，三大主要DRAM厂的营收占比达97.9%，而排名第四的南亚科仅有1.3%。

　　  吴雅婷指出，第三季行动式内存占DRAM总营收比例上升至43.5%，在Note 7停产后各品牌厂纷纷抢占三星失去的市场，且行动式内存价格上涨趋势不变的情况下，预计今年第四季行动式内存在DRAM总营收占比仍将持续扩大。

　　  三星仍为技术领导者，获利能力为三大DRAM厂*高

　　  就三大DRAM厂竞争能力分析，三星仍是行动式内存霸主，除20纳米制程已进入相当成熟的阶段，今年第四季更有LPDDR4 16Gb mono die正接受客户的验证，其技术**业界，如验证成功，2017年的高阶手机将有望搭载8GB内存。此外，其18纳米制程技术也将于明年放量，有望进一步提升三星半导体部门获利。

　　  SK海力士21纳米制程良率正逐步提升，加上适逢手机传统出货旺季，其行动式内存的21纳米制程的投片量也在第三季放大，SK海力士计划将21纳米制程良率推至更成熟的阶段，明年下半年也将导入18纳米的试产，提高自身竞争力。

　　  美光集团先前由于财务状况不稳定，在行动式内存采取20/25纳米并重的策略，并以华亚科20纳米转进速度*快，专注于提供苹果阵营的需求，而非苹果阵营的行动式内存需求交由广岛厂与台湾美光内存的25纳米制程供应比重较高。明年美光集团也有望导入18纳米制程。

　　  台系DRAM厂方面，受惠于行动式内存的生产比重提升，加上行动式内存涨价，南亚科在全球DRAM厂季营收市占从1.1%提升至1.3%。目前南亚科厂内正进入20纳米制程转换工程，该制程的行动式内存产能将于明年开出。

　　  华邦电子第三季在全球DRAM厂的营收市占与上季持平，约0.8%，整体营收在客制化产品与ASIC产品价格提升后小幅成长，华邦电子新制程38纳米有机会于今年少量生产，且将优先利用在利基型内存与行动式内存上。