半浮栅晶体管在国内研制成功

　　复旦大学微电子学院张卫课题组成功研制出个介于普通MOSFET晶体管和浮栅晶体管之间的半浮栅晶体管（SFGT）。8月9日，美国《科学》杂志刊发了该研究成果。这是我国科学家首次在该杂志上发表微电子器件领域的论文，标志着我国在尖端集成电路技术创新链中获得重大突破。

　　据介绍，金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）是目前集成电路中基本的器件，而我们常用的U盘等闪存器件，多采用另一种被称为浮栅晶体管的器件。此次研究人员把一个隧穿场效应晶体管（TFET）和浮栅器件结合起来，构成了一种全新的半浮栅结构器件，称为半浮栅晶体管。它具有高密度和低功耗的明显优势，可取代一部分静态随机存储器（SRAM），并可应用于动态随机存储器（DRAM）领域以及主动式图像传感器芯片（APS）领域。