GaN和SiC半导体市场增速惊人

　　在未来十年，受电源、光伏(PV)逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率半导体市场将以18的惊人速度稳步增长。

　　据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体的销售额将从2012年的1.43亿美元增加到28亿美元。据预测，未来十年这一市场的销售额将实现两位数的年增长率。

　　SiC肖特基二极管已存在十多年，SiC金氧半场效晶体管(MOSFET)、结晶性场效应晶体管(JFET)和双极型晶体管(BJT)在近几年出现。GaN功率半导体则刚刚进入市场。GaN是一种拥有类似于SiC性能优势的宽带隙材料，但拥有更大的成本控制潜力。

　　据分析师预测，氮化镓上硅设备与硅MOSFET、IGBT或整流器将在2019年实现平价和同等性能，至2022年GaN功率市场销售额将超过10亿大关。

　　SiC肖特基二极管在2012年的销售额超过1亿美元，是目前畅销的SiC或GaN设备。至2022年这一数字将增加近一倍。

　　到那时，SiC MOSFET销售额预计将达到4亿美元，超越肖特基二极管成为热卖的离散电源设备类型。虽然可靠性、价格及性能相近，SiC JFET和SiC BJT各自的销售额预计仅达到SiCMOSFET的一半。

　　虽然IHS预测SiC和GaN市场未来几年增长强劲，但与一年前相比，这一预测已是大打折扣了。这一变化的主要原因在于，经济的低迷现状使市调机构调低了对功率组件设备的出货量预测。SiC采用率预测也被大幅调低，因为设备价格并未如此前预测那样快速下跌。

　　相比之下，业界对GaN技术的信心有所提高，越来越多公司已宣布进行GaN研发。例如Transphorm已成为获得氮化镓上硅设备JEDEC资格的公司。