当前位置:首页>>行业资讯>>技术应用>> 电子器件中过流及短路的分析

电子器件中过流及短路的分析

时间:2014-06-23  来源:中国电子元器件网  浏览次数:472

  绝缘栅双极晶体管IGBT过电压监控中,通过门极驱动单元检测集电极电压,并与参考值相比较。如果在器件开通期间集电极电压老降不下来,或者原已开通的器件上集电极电压突然增大,那就表示出现过流或短路。

  门极驱动单元将在几微秒内封锁脉冲;同时,使IGBT导通期间的门极电压值保持尽可能小(其*大值受通态损耗许可值限制),以减小过电流。在没有吸收电路的情况下,在门极驱动单元上监测集电极电压分子束外延。如果它超过设定限值,则略微增加门极电压,减少电流下降的di/dt,以限制关断过电压。在IGBT的门极和射极之间直接并联-个快速二极管,以防止其间很薄的绝缘在瞬态过电压下击穿。

  集成在IPM中的可编程门极驱动单元,通过光纤接口从控制单元得到开关指令,并把它们变换成所需要的门极控制电压;同时把IPM的开关状态反馈到控制单元,对变流器进行监视。如果出现严重的故障,则在送出故障反馈信号后,等待从控制单元来的新的指令。

相关资讯
资讯推荐
热门新闻排行
  1. 碳膜电阻与电位器日常保养指南:守护精密电子元件
  2. 安谋科技出席IIC 2025全球CEO峰会,“周易”NPU荣获年度IP产品大奖
  3. 压敏电阻器:电子系统的可靠守护神
  4. 压敏电阻器系列全解析:类型、应用与选型指南
  5. 云母电容器型号解析:CD、C、CQ、MC等系列详解
  6. 电解电容器的优缺点剖析
  7. 固定电阻器安装方式详解
  8. 线绕电阻与电位器维护实用指南
更多>>视频分享