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电子器件中过流及短路的分析

时间:2014-06-23  来源:中国电子元器件网  浏览次数:493

  绝缘栅双极晶体管IGBT过电压监控中,通过门极驱动单元检测集电极电压,并与参考值相比较。如果在器件开通期间集电极电压老降不下来,或者原已开通的器件上集电极电压突然增大,那就表示出现过流或短路。

  门极驱动单元将在几微秒内封锁脉冲;同时,使IGBT导通期间的门极电压值保持尽可能小(其*大值受通态损耗许可值限制),以减小过电流。在没有吸收电路的情况下,在门极驱动单元上监测集电极电压分子束外延。如果它超过设定限值,则略微增加门极电压,减少电流下降的di/dt,以限制关断过电压。在IGBT的门极和射极之间直接并联-个快速二极管,以防止其间很薄的绝缘在瞬态过电压下击穿。

  集成在IPM中的可编程门极驱动单元,通过光纤接口从控制单元得到开关指令,并把它们变换成所需要的门极控制电压;同时把IPM的开关状态反馈到控制单元,对变流器进行监视。如果出现严重的故障,则在送出故障反馈信号后,等待从控制单元来的新的指令。

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