我国在高压IGBT芯片取得突破 填空国内空白

　　我国的工业发展的过程中，由于相关研究起步较晚，经常在某些技术或设备的发展过程中遇到核心技术暂时无法突破，只能采用国外技术的尴尬局面。不过我国的科技研发人员并没有在之后放弃，一直努力突破，填补国内空白。

　　绝缘栅双极晶体管IGBT是第三代电力电子器件，安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高（10-40kHz）的特点，是目前发展为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS及逆变焊机当中。IGBT的驱动和保护是其应用中的关键技术。

　　而我国由于相关工业化进程起步较晚，直接导致我国IGBT技术及产业化发展滞后，加之技术门槛难度之高、投入之大，目前中国市场的IGBT产品基本依赖进口，国内有数家从事中小功率IGBT产品组装企业，且未形成产业规模。所以我国轨道交通用高压IGBT芯片技术面临长期进口的困境。此次国内企业自主研发的800安培/3300伏、1200安培/3000伏两种轨道交通用高压IGBT芯片通过专家组鉴定，其产品达到国际先进水平，将在高压IGBT芯片的应用上一举扭转我国轨道交通用高压IGBT芯片技术长期进口的困境，推动IGBT这一民族核心装备技术在我国的产业化发展。