国产高性能IGBT芯片跻身世界水平

　　　　近日，由中国南车株洲所主持研制的国内*大电压等级、*高功率密度的6500伏高压IGBT芯片及其模块首次向外界亮相，并通过成果鉴定，刷新了1年前该公司自主研制的3300伏IGBT芯片电压等级和功率密度纪录。鉴定专家一致认为，该项目成果总体技术处于国际**水平，代表了我国功率半导体器件行业IGBT技术的*高水平，具有重大战略意义。

　　IGBT中文名为绝缘栅双极型晶体管，主要用于交直流转换和控制，是电力电子行业的核心零部件。从传统电力、机械、矿冶到轨道交通、柔性直流输电、新能源装备和航空航天等领域，高压高功率密度IGBT均有着广泛应用，被誉为现代功率变流装置的心脏和绿色高端产业的核芯，但此前相关技术被国外企业垄断。

　　该项目负责人、中国南车株洲所IGBT事业部总经理刘国友介绍说，该公司先后投入20多亿元，组织了近百位专家开展攻关，从IBGT芯片设计、封装测试、可靠性试验到系统应用，攻克了30多项难题，现在不仅掌握该器件的成套技术，形成了规模化、专业化生产的完整工艺体系，还在轨道交通、柔性直流输电及矿冶等领域得到批量应用。项目目前已申报专利20项，获授权4项。

　　据悉，中国南车株洲所在此次鉴定会上同时展示了其IGBT家族的超强阵容，均代表行业*高水平，表明该公司已初步形成IGBT器件技术的完整产品型谱，成为国内**全面掌握IGBT芯片技术研发、模块封装测试和系统应用的企业。