中国首颗超级IGBT芯片摆脱技术依赖

　　由中国自主研制的国内**一款*大电压等级、*高功率密度的6500伏高压IGBT芯片及其模块，在中国南车株洲所正式亮相，这款超级IGBT芯片代表了中国功率半导体器件行业IGBT技术的*高水平。

　　该技术此前被国外企业垄断

　　IGBT中文名为绝缘栅双极型晶体管。此前，高压高功率密度IGBT技术几乎全部被国外少数几家企业垄断，国内还是一片空白，使得中国关键产业发展在很大程度上受制于人。从传统的电力、机械、矿冶，到轨道交通、航空航天、新能源装备以及特种装备等战略性新兴产业，高压高功率密度的IGBT应用领域广泛，堪称现代功率变流装置的心脏和绿色高端产业的核芯。

　　从2011年开始，中国南车株洲所通过全球性的战略布局，吸纳国际优势研发资源，对该项高端技术进行自主攻关，终于在2012年12月份开发出国内首款从芯片到模块完全自主化的3300伏等级的IGBT芯片，并在此基础上，又成功研制出4500伏、6500伏高功率密度IGBT芯片及其模块。

　　国内每年IGBT需求超50亿元

　　这款超级IGBT芯片亮相于中国南车株洲所举办的高压高功率密度IGBT芯片及其模块研究开发项目鉴定会。来自中国科学院、中国工程院的四位院士以及来自中科院微电子所、南京大学、中南大学等科研单位的权威专家一致认为：中国南车株洲所研制的高压高功率密度IGBT系列器件具有耐压高、电流大，功率损耗低、动态性能好等诸多优点，经历了严苛的性能测试和试验考核，而且具有在轨道交通、柔性直流输电等重大工程项目的实际应用业绩。其成果总体技术处于国际**水平，填补了国内行业空白，实现了中国在高端IGBT技术领域与国际先进水平接轨，具有重大战略意义。

　　据悉，目前，中国已成为世界上IGBT产品*大的消费市场，以高速动车组、大功率机车、新能源装备、电网为龙头的国内变频产业每年的IGBT需求量超过50亿元，而且每年以15%以上的速度增长。