安森美半导体IGBT高性能开关应用

　　今天，不论是用在工业领域还是民用产品的开关应用，绝缘栅双极晶体管（IGBT）都可以提供有效的解决方案，以实现*终产品的高能效和高性能。在节能至上的市场上，电子设计人员**可以实现高能效的器件，而且要针对不同应用选择合适的IGBT.推动高能效创新的安森美半导体提供丰富的分立式IGBT方案，广泛用于电磁炉、不间断电源（UPS ）、太阳能逆变器和逆变电焊机等领域。

　　IGBT技术概述

　　IGBT有强耐能量冲击能力和强耐短路电流能力 （5至10微秒）。现有IGBT包括沟道非穿通型 （NPT）、沟道场截止型 （FS） **代和沟道场截止型第二代IGBT等类型。随着制造工艺的进步，开始采用50微米晶圆及金属背板，超薄晶圆及其背面处理工艺减少了IGBT的导通和开关损耗。

　　对比沟道非穿通型和沟道场截止型IGBT可以发现，前者的电场强度在硅漂移区 （n-FZ）线性递减到0，硅漂移区厚度与耐压成线性正比，因此具有高导通压降和高关断损耗；后者用N缓冲层减少了硅漂移区的厚度，实现了超薄晶圆，从而实现了低导通压降和低关断损耗 .