中国自主研发高压IGBT芯片通过鉴定

　　我国自主研发的高压大功率3300V/50A IGBT（绝缘栅双极型晶体管）芯片及由此芯片封装的大功率1200A/3300V IGBT模块，今天通过专家鉴定。中国自此有了完全自主的IGBT中国芯。

　　由中国北车设计开发的3300V/50A IGBT芯片，是国内首件自主设计制造的高压IGBT芯片，迈开了国产IGBT功率芯脏替代进口的步伐。

　　IGBT作为新一代功率半导体器件，具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点，是自动控制和功率变换的关键核心部件，被广泛应用在轨道交通装备、电力系统、工业变频、风电、太阳能、电动汽车和家电产业中。如在轨道交通领域，牵引传动系统是动车组、机车等装备的核心部件，而IGBT又是牵引传动系统的核心部件，是核心中的核心。

　　采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和用电质量，节能30以上。

　　目前中国已经成为IGBT的大消费国，年需求量超过75亿元，而且每年以30以上的速度增长。有关资料预测，到2020年，轨道交通电力牵引每年IGBT模块的市场规模不低于10亿元，智能电网不低于4亿元。

　　由于起步较晚、研发难度大，此前国内IGBT芯片设计主要集中在民用级1200V IGBT上，工业级和牵引级的高压大功率IGBT基本依赖进口。中国北车3300V IGBT芯片自主设计的成功，填补了这一领域空白。

　　中国北车3300V IGBT芯片的自主开发成功，也标志着中国北车在高端IGBT领域形成了设计制造、模块封装完整的产业链。