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工信部发布《光伏制造行业规范条件》

时间:2013-09-04  来源:中国电子元件网  浏览次数:696

  工信部发布《光伏制造行业规范条件(征求意见稿)》

  工信部官方网站近日下午发布《光伏制造行业规范条件(征求意见稿)》(下称《条件》),对光伏行业中多晶硅、硅棒、硅锭、硅片、电池、电池组件等制造领域的生产布局与项目设立、生产规模和工艺技术、资源综合利用及能耗、环境保护和质量管理等方面做出了规定,促进光伏制造业兼并重组、技术改造,推动光伏行业健康发展。

  《条件》规定,在生产布局和项目设立上,严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目。对加强技术创新、降低生产成本等确有必要的新建和改扩建项目,报行业主管部门及投资主管部门备案。新建和改扩建光伏制造项目,低资本金比例为20.

  在生产规模上,《条件》规定,多晶硅项目每期规模大于3000吨/年;硅锭年产能不低于1000吨;硅棒年产能不低于1000吨;硅片年产能不低于5000万片;晶硅电池年产能不低于200MWp;晶硅电池组件年产能不低于200MWp;薄膜电池组件年产能不低于50MWp.申报符合规范名单时上一年实际产量不低于产能要求的50.

  同时,光伏制造企业每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3且不少于1000万元人民币。

  《条件》也对太阳能电池的转化效率做出了规定,多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16和17;多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5和15.5;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8、10、11、10.而对于新建和改扩建的企业和项目,要求则更高,多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18和20;多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5和17.5;硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12、12、13、12.

  《条件》还对晶体硅太阳能电池的衰减率作出了规定,多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2和4.2,25年内不高于20;薄膜电池组件衰减率在2年内不高于5,25年内不高于20.

  在能耗方面,《条件》对多晶硅还原项目、硅锭项目、硅棒项目、硅片项目、电池和组件项目的综合能耗均做出了规定。其中多晶硅项目还原电耗小于80千瓦时/千克,综合电耗小于140千瓦时/千克;新建和改扩建项目还原电耗小于60千瓦时/千克,综合电耗小于100千瓦时/千克。

  《条件》要求组件使用寿命不低于25年,质保期不少于10年。

  《条件》还要求现有光伏制造企业及项目应当符合本规范条件要求,未满足规范条件要求的企业及项目根据产业转型升级的要求,在国家产业政策的指导下,通过兼并重组、技术改造等方式,尽快达到本规范条件的要求。

 

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