半导体投资不妨采用“N+1”政策

　　近来，有关台积电在中国大陆投资建设12英寸晶圆制造厂的消息是*为引人关注的新闻之一，任何动向都会引发媒体的跟风报道。日前有媒体披露“南京市政务服务中心网站发布招标公告，就三期浦口经济开发区进行场地平整工程招标，内容明示为台积电地块”，再次引发业界持续关注。与此同时，重庆、深圳等地对台积电落户的招商力度仍然丝毫不减。

　　台积电能在中国大陆投资建厂，特别还是1座12英寸的晶圆当然是好事一件，此前台积电在中国大陆的上海松江设有8英寸厂。然而考虑到此次台积电在大陆建立的12英寸厂中引入的工艺技术，*先进的可能也仅为28纳米，却又不能不说是一大遗憾了。毕竟在国际上，英特尔、三星和格罗方德已经量产14纳米工艺，台积电16纳米工艺也于近期实现量产(据闻于7月份量产，年底放量)，而且即使在中国大陆范围内，中芯国际已经在今年年中实现了28纳米的量产，年底即可放量。

　　当然，台积电做出这样的决定并不出人意料，因为这是根据中国台湾有关半导体厂赴大陆设厂的规定，所输出的制程技术必须落后该公司在中国台湾制程技术一个世代以上(N-1)。目前台积电制程*先进工艺为16纳米。20纳米为一个小节点，目前鲜少有采用该节点进行产品开发的设计公司，台积电的中国台湾厂在该节点上的订单也不多，没有必要在大陆另建新厂，所以*有可能进入大陆的就是28纳米。

　　可是，将这样一个技术节点引入，并不令人兴奋，甚至可能对我们的产业发展存在一定影响：中芯国际在北京及上海的2座12英寸厂，今年年底就将跨入28纳米，台积电的投资对中国大陆半导体制造行业的技术进步并没有带来促进作用，反而有可能过早形成压力。

　　如果拉长视角，可以更好地理解当初我们为何乐于接受国际上非先进技术的投资。因为那时中国大陆的晶圆制造水平与国际先进水平差距较大。本世纪初中国大陆的制造工艺尚停留在1微米到0.8微米节点，国际上的主流工艺已经达到0.18微米到0.13微米了，所以即使是处于N-1政策下的中国台湾厂商投资，仍有其先进性，落户城市自然也是十分欢迎的。

　　然而目前的形势已经改变了。中国大陆半导体技术与国际先进技术的差距逐渐拉近，中国大陆半导体业也并不缺少资金，*需要的是更加先进的工艺技术和人才。所以，如果台积电此次投资能够引入16纳米先进工艺，那么我们应当欢呼，应当给予一系列优惠政策。

　　所以，在这里我不妨提出一个建议，既然中国台湾为了保护本地产业，可以出台“N-1政策”，那么，中国大陆为什么不能出台“N+1”的规定呢?如果想来大陆投资，想要得到更多优惠政策，想要获得更多市场份额，那么就请投资比现有工艺水平更先进一代的技术吧。如此，方有利于我们技术的进步与赶超，更有利于本土产业的发展。以现在中国大陆的半导体产业的发展水平和整体经济实力，已经到了可以对外大声说“想来这里投资赚钱，那就把好东西拿出来吧”的时候了。

　　另外，再补充一个消息：近日中国台湾投审会正式驳回了清华紫光在台设立“紫光展讯分公司”的申请，理由是对紫光集团有大量挖角台湾IC人才的疑虑，不利台产业发展。而大陆这里却有多个城市在为台积电投资建厂而争夺。新闻要对比着看才有意思。