我国第三代半导体材料研究仍面临难关

　　由于我国在第三代半导体材料相关研究领域起步较晚，目前在材料的自主制备上仍面临难关。同时，我国对基础的材料问题关注度不够；一旦投入与支持的力度不够，相关人才便很难被吸引，人才队伍建设的问题也将逐渐成为发展瓶颈。

　　夜幕降临的北京，你若有机会乘车路过北四环，都会被那光芒四射、异彩纷呈的鸟巢、水立方所吸引，甚至忍不住驻足欣赏。

　　这些流光溢彩建筑的背后，主要得益于半导体照明技术的充分运用。

　　可惜的是，水立方44万套LED照明设备、鸟巢约25.8万套LED照明设备都采购自美国科锐（CREE）公司，难觅国产的踪影。

　　MOCVD系统的需求量不断增长，而我国几乎全部依赖进口。

　　实际上，随着第三代半导体材料成为半导体研究的前沿和热点，我国在半导体材料发光器件、微波功率器件等关键研究领域正迎头赶上，甚至开始试产、试用，然而与国外同行相比，差距犹存。

　　大的瓶颈是什么？是原材料。中国科学院半导体研究所研究员、中国电子学会半导体与集成技术分会秘书长王晓亮在接受《中国科学报》记者采访时说，原材料的质量、制备问题，亟待破解。