莱姆不断研发出基于霍尔效应的传感器

　　据悉，第五款LF2010-S将于明年2月推出。莱姆不断研发出基于霍尔效应的传感器，其性能可与磁通门技术的传感器媲美。莱姆**次把ASIC新技术应用于闭环原理的电流传感器，也就是LFxx10系列。此集成电路大幅提高了产品性能，LEM拥有其专利。

　　莱姆LFXX-S产品家族

　　近日，莱姆电子推出全新的LFxx10系列电流传感器，这四个系列的产品可对200A到2000A的DC、AC和脉冲电流进行非介入式测量。据悉，第五款LF2010-S将于明年2月推出。莱姆不断研发出基于霍尔效应的传感器，其性能可与磁通门技术的传感器媲美。莱姆**次把ASIC新技术应用于闭环原理的电流传感器，也就是LFxx10系列。此集成电路大幅提高了产品性能，LEM拥有其专利。

　　LFxx10系列与前一代闭环霍尔效应电流传感器相比，在全工作温度范围内，总精度提高了一倍，*大零点漂移为IPN的0.1%.该系列产品在性能方面与磁通门相当，同时还为客户提供了更优化的控制和更高的系统效率。具有更好的性价比，并克服了磁通门噪声、原边电流启动等缺点，而且过载后重启没有延迟。+/-12到+/-24V的双电源供电（取决于不同型号），与前一代相比，LFxx10系列传感器具有更宽的电流测量范围。另外，由于采用了专用的磁芯和绕组设计，对于di/dt阶跃响应更快，响应时间小于0.5s.

　　LFxx10系列电流传感器对于被测电流以外的其他电流（AC或DC）所产生的磁场具有较强的抗干扰能力。由于其不受邻近的其它元器件产生磁场的影响，因此，可在恶劣的应用环境中进行更便捷的产品布局。新系列可提供适用于各个电流范围的各种尺寸和面板安装要求，同时也不会影响原边电路和测量电路之间的高绝缘等级。