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DBC-102 浪涌电流测试系统

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系统概述：浪涌电流测试仪，是二极管等相关半导体器件测试的重要检测设备，浪涌电流是指电源接通瞬间或是在电路出现异常情况下产
2025-10-22 09:38 [陕西西安市]
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大陆，港，澳，台（全新原装正品，如果不是随时投诉）温馨提示：本公司为一般纳税人,可开13%税，普票，统一社会信用代码9135052
2025-10-11 09:24 [福建泉州市]
福建安溪灿宏电子科技有限公司 [未核实]

ZFCH中福灿宏可控硅SGDMD100A1600EYL

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大陆，港，澳，台（全新原装正品，如果不是随时投诉）温馨提示：本公司为一般纳税人,可开13%税，普票，统一社会信用代码9135052
2025-10-10 09:24 [福建泉州市]
福建安溪灿宏电子科技有限公司 [未核实]

ZFCH中福灿宏可控硅SGDMD110A2000V

ZFCH中福灿宏可控硅SGDMD110A2000V
大陆，港，澳，台（全新原装正品，如果不是随时投诉）温馨提示：本公司为一般纳税人,可开13%税，普票，统一社会信用代码9135052
2025-09-05 09:24 [福建泉州市]
福建安溪灿宏电子科技有限公司 [未核实]

ZFCH中福灿宏可控硅整流模块MDC300-14

ZFCH中福灿宏可控硅整流模块MDC300-14
大陆，港，澳，台（全新原装正品，如果不是随时投诉）温馨提示：本公司为一般纳税人,可开13%税，普票，统一社会信用代码9135052
2025-07-28 09:43 [福建泉州市]
福建安溪灿宏电子科技有限公司 [未核实]

KPA 2200-16全新可控硅晶闸管

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2024-06-11 08:55 [上海]
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2024-03-05 15:03 [湖北武汉市]
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2024-03-05 15:03 [湖北武汉市]
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2024-02-18 16:46 [湖北武汉市]
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以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等特性。相比
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以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等特性。相比
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武汉科美芯电气供应单管5
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等特性。相比
2023-12-11 15:50 [湖北武汉市]
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武汉科美芯电气供应单管
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武汉科美芯电气供应单管
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