上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 3000 最适合大型真空系统, 与友厂大功率离子源对比, eH 3000 是目前市场上最高效, 提供最高离子束流的离子源.
尺寸: 直径= 9.7“ 高= 6”
放电电压 / 电流: 50-300V / 20A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
KRI 霍尔离子源 eH 3000 特性
• 水冷 - 加速冷却
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时,最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
• 高效的等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源 eH 3000 技术参数:
| 型号 | eH3000 / eH3000L / eH3000M / eH3000LE | 
| 供电 | DC magnetic confinement | 
| - 电压 | 50-250V VDC | 
| - 离子源直径 | ~ 7 cm | 
| - 阳极结构 | 模块化 | 
| 电源控制 | eHx-25020A | 
| 配置 | - | 
| - 阴极中和器 | Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode | 
| - 离子束发散角度 | > 45° (hwhm) | 
| - 阳极 | 标准或 Grooved | 
| - 水冷 | 前板水冷 | 
| - 底座 | 移动或快接法兰 | 
| - 高度 | 4.0' | 
| - 直径 | 5.7' | 
| - 加工材料 | 金属 | 
| 电介质 | |
| 半导体 | |
| - 工艺气体 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors | 
| - 安装距离 | 16-45” | 
| - 自动控制 | 控制4种气体 | 
| * 可选: 可调角度的支架; | 
 | 
KRI 霍尔离子源 eH 3000 应用领域:
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜 ( 光学镀膜 ) IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉积 DD
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论, 请联络上海伯东邓女士, 分机134

 商务中心
商务中心 发布求购
发布求购 排名推广
排名推广
 
                                         
                                         
 






