上海伯东 KRI 霍尔离子源 eH 2000

上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 2000 是一款更强大的版本, 带有水冷方式, 他具备 eH 1000 所有的性能, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合大中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.

尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”

放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A

操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性：

• 水冷 - 与 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流

• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极

• 宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率

• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便

• 高效的等离子转换和稳定的功率控制

KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数：

KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域：

•  离子辅助镀膜 IAD

•  预清洗 Load lock preclean

•  预清洗 In-situ preclean

•  Direct Deposition

•  Surface Modification

•  Low-energy etching

•  III-V Semiconductors

•  Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论, 请联络上海伯东邓女士, 分机134