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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 75:紧凑栅极离子源,离子束直径 14 cm ,可安装在 8“CF法兰. 适用于中小型腔内, 考夫曼离子源 KDC 75 包含2个阴极灯丝, 其中一个作为备用,KDC 75 提供紧密聚焦的电子束特别适合溅射镀膜. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 250 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 75 技术参数：
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型号 |
KDC 75 / KDC 75L(低电流输出) |
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供电 |
DC magnetic confinement |
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- 阴极灯丝 |
2 |
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- 阳极电压 |
0-100V DC |
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电子束 |
OptiBeam™ |
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- 栅极 |
专用, 自对准 |
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-栅极直径 |
7.5 cm |
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中和器 |
灯丝 |
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电源控制 |
KSC 1212 或 KSC 1202 |
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配置 |
- |
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- 阴极中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
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- 安装 |
移动或快速法兰 |
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- 高度 |
7.9' |
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- 直径 |
5.5' |
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- 离子束 |
聚焦 |
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平行 |
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散设 |
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-加工材料 |
金属 |
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电介质 |
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半导体 |
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-工艺气体 |
惰性 |
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活性 |
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混合 |
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-安装距离 |
6-24” |
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- 自动控制 |
控制4种气体 |
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* 可选: 一个阴极灯丝; 可调角度的支架 |
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KRI 考夫曼离子源 KDC 75 应用领域：
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论, 请联络上海伯东邓女士, 分机134
