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上海伯东 射频离子源 RFICP 380

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  • 产品/服务:

    型 号:RFICP 380

    品 牌:KRI

    供货总量:100 台 最小起订量:1 台
    有效期至:长期有效 最后更新:2023-06-15
    发货期限:自买家付款之日起 天内发货 
产品详情
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上海伯东美国 KRi 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极口径 38cm, 提供离子动能 100-1200eV 宽束离子束, 最大离子束流 > 1000mA, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用.

KRI 射频离子源 RFICP 380 特性:

1.       放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长. 2kW & 1.8 MHz, 射频自动匹配

2.       离子源结构模块化设计

3.       离子光学, 自对准技术, 准直光束设计, 自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行

4.       全自动控制器

5.       离子束动能 100-1200eV

6.       栅极口径 38cm, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用

射频离子源 RFICP 380 技术规格:

阳极

电感耦合等离子体
2kW & 1.8 MHz
射频自动匹配

最大阳极功率

>1kW

最大离子束流

> 1000mA

电压范围

100-1500V

离子束动能

100-1200eV

气体

Ar, O2, N2,其他

流量

5-50sccm

压力

< 0.5mTorr

离子光学, 自对准

OptiBeamTM

离子束栅极

38cm Φ

栅极材质

钼或石墨

离子束流形状

平行,聚焦,散射

中和器

LFN 2000

高度

38.1 cm

直径

58.2 cm

锁紧安装法兰

12”CF

上海伯东美国考夫曼 KRI 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸磁存储器刻蚀机, 8英寸量产型金属刻蚀机中, 实现 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蚀工艺, 适用于 IC, 微电子,光电子, MEMS 等领域.

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论, 请联络上海伯东邓女士, 分机134


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