简述
NCE6050K采用先进的沟槽技术并设计用于提供##的低栅栏电荷,在多个方面广泛应用
整体特征
● VDS =60V,ID=50A
RDS(ON)<20mΩ @ VGS=10V
●高密集的单元设计的超低导通电阻
● 完全特征化雪崩电压和电流
●良好的稳定性和高EAS一致性
●高散热性的##封装
简述
NCE6050K采用先进的沟槽技术并设计用于提供##的低栅栏电荷,在多个方面广泛应用
整体特征
● VDS =60V,ID=50A
RDS(ON)<20mΩ @ VGS=10V
●高密集的单元设计的超低导通电阻
● 完全特征化雪崩电压和电流
●良好的稳定性和高EAS一致性
●高散热性的##封装