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深圳市英尚微电子有限公司上海分公司

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Low powe SRAM低功耗静态随机存储器
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产 品: 浏览次数:476Low powe SRAM低功耗静态随机存储器 
型 号: EM611FV16U 
规 格: 1Mbit 
品 牌: JSC(EMLSI) 
最小起订量:  
供货总量:
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
更新日期: 2014-12-15  有效期至:2016-12-04 [已过期]
详细信息

EM611FV16U

FEATURES
• Process Technology : 0.18μm Full CMOS
• Organization : 64K x 16 bit
• Power Supply Voltage : 2.7V ~ 3.6V
• Low Data Retention Voltage : 1.5V(Min.)
• Three state output and TTL Compatible
• Package Type : 48-FPBGA, 44-TSOP2

公司主要产品有:
1,Low power SRAM(低功耗静态随机存储器)1Mbit~8Mbit.
2,Serial SRAM(串行静态随机存储器)1Mbit~8Mbit.
3,PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM](虚拟静态随机存储器)4Mbit~64Mbit.
4,Cellular RAM(伪静态随机存储器)4Mbit~64Mbit.
5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.
6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存储器)256Kbit~1Gbit
7.MCP 512Mbit+256Mbit,1Gbit+512Mbit,64Mbit+32Mbit,128Mbit+64Mbit,32Mbit+16Mbit
8.Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit~512Mbit

询价单