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武汉科美芯电气供应派恩杰单管
SiC SBD（碳化硅肖特基二极管）的反向恢复电荷远小于硅二极管同类产品，并且 SiC SBD可以运行在更高的结温下。因此，SiC SBD在开
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2023-12-11 |
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武汉科美芯电气供应单管2
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等特性。相比
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2023-12-11 |
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武汉科美芯电气供应ABB模块
ABB IGBT 可提供 1700 至 6500 V的电压等级产品，作为半桥、全桥、斩波 IGBT 和双二极管模块。 高功率 HiPak IGBT 模块具有软开
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2023-12-11 |
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武汉科美芯电气供应派恩杰单管
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等特性。相比
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2023-12-11 |
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武汉科美芯电气供应单管1
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等特性。相比
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2023-12-11 |
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武汉科美芯电气供应单管3
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等特性。相比
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武汉科美芯电气供应单管
以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等特性。相比
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武汉科美芯电气供应单管
SiC SBD（碳化硅肖特基二极管）的反向恢复电荷远小于硅二极管同类产品，并且 SiC SBD可以运行在更高的结温下。因此，SiC SBD在开
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