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NCE3080K是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET，采用先进的沟漕道工艺制做，导通阻低RDS(ON) ，开关速度快，低开启电压Vgs，带ESD保护，稳定性好，具有很高的EAS均匀性。
产品应用：
● 锂电池保护板
● 转换开关
● LED显示器/LCD监视器
● 马达控制
● 逆变器
● 开关电源
● 笔记本电脑/台式电脑/手机等电源管理
详情：
| 品名 | N沟道MOSFET NCE3080K |
|---|---|
| 型号 | NCE3080K |
| 丝印标识 | NCE3080K |
| 品牌 | 新洁能 |
| 封装 | TO-252 |
| 器件结构 | 沟槽型MOS管 |
| 结构类型 | 单通道 |
| 晶体管极性 | N管 |
| 通道模式 | 增强型 |
| *大N沟道漏源电压(+V) | 30.00 |
| *大N沟道漏源电流(+A) | 80.00 |
| 典型N沟道漏源导通电阻(mΩ) | 5.00 |
| 耗散功率(W) | 83.00 |
| 典型N沟道栅源电压(+V) | 1.50 |
| N沟道正向跨导 - *小值(S) | 20.00 |
| 典型N沟道基极电荷(nC) | 51.00 |
| 典型N沟道输入电容值(pF) | 2,330.00 |
| N沟道接通延迟时间(nS) | 20.00 |
| N沟道接通上升时间(nS) | 15.00 |
| N沟道关断延迟时间(nS) | 60.00 |
| N沟道关断下降时间(nS) | 10.00 |
| *高环境工作温度 | 175℃ |
| *低环境工作温度 | -55℃ |
| *小包装数量 | 2500 |
| 包装方法 | 编带塑料盘 |
| 生产状态 | 量产中 |
| 工程技术 | MOSFET作用：1.场效应管应用于放大电路； 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换； 3.用作可变电阻； 4.用作恒流源；5.用作电子开关。, MOSFET特点： 1.场效应管是电压控制器件，通过VGS来控制ID；2.场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电，温度稳定性较好； 4.场效应管的抗辐射能力强； 5.场效应管的噪声系数很小。 |
| 外观尺寸 | 9.50X6.35X2.20mm |