点击图片查看大图| 品名 | N沟道MOSFET NCE0160G |
|---|---|
| 型号 | NCE0160G |
| 丝印标识 | 否 |
| 品牌 | 新洁能 |
| 封装 | PDFNWB5×6_8L |
| 器件结构 | 沟槽型MOS管 |
| 结构类型 | 单通道 |
| 晶体管极性 | N管 |
| 通道模式 | 增强型 |
| *大N沟道漏源电压(+V) | ￥ 100.00 |
| *大P沟道漏源电压(-V) | 否 |
| *小N沟道源源极间电压(+V) | 否 |
| *大N沟道漏源电流(+A) | ￥ 60.00 |
| *大P沟道漏源电流(-A) | 否 |
| 典型N沟道源源极间电流(+A) | 否 |
| 典型N沟道漏源导通电阻(mΩ) | ￥ 12.60 |
| 典型P沟道漏源导通电阻(mΩ) | 否 |
| 耗散功率(W) | ￥ 105.00 |
| 典型N沟道栅源电压(+V) | ￥ 3.70 |
| 典型P沟道栅源电压(-V) | 否 |
| N沟道正向跨导 - *小值(S) | ￥ 30.00 |
| P沟道正向跨导 - *小值(S) | 否 |
| 典型N沟道基极电荷(nC) | ￥ 47.00 |
| 典型P沟道基极电荷(nC) | 否 |
| 典型N沟道输入电容值(pF) | ￥ 2,850.00 |
| 典型P沟道输入电容值(pF) | 否 |
| N沟道接通延迟时间(nS) | ￥ 17.00 |
| P沟道接通延迟时间(nS) | 否 |
| N沟道接通上升时间(nS) | ￥ 10.00 |
| P沟道接通上升时间(nS) | 否 |
| N沟道关断延迟时间(nS) | ￥ 26.00 |
| P沟道关断延迟时间(nS) | 否 |
| N沟道关断下降时间(nS) | ￥ 10.00 |
| P沟道关断下降时间(nS) | 否 |
| *高环境工作温度 | 175℃ |
| *低环境工作温度 | -55℃ |
| *小包装数量 | 5000 |
| 包装方法 | 编带塑料盘 |
| 生产状态 | 量产中 |
| 工程技术 | MOSFET作用：1.场效应管应用于放大电路； 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换； 3.用作可变电阻； 4.用作恒流源；5.用作电子开关。, MOSFET特点： 1.场效应管是电压控制器件，通过VGS来控制ID；2.场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电，温度稳定性较好； 4.场效应管的抗辐射能力强； 5.场效应管的噪声系数很小。 |
N沟道MOSFET NCE0160G