点击图片查看大图概述
M5358是一款高度集成的电流模式PWM控制芯片，,内置高压MOS,适合应用于高性能、低待机功耗，低成本,离线AC-DC反激式拓扑结构，推荐应用于功率27瓦以内的各种变换器。M5358提供完善的各种保护以及自恢复功能，包括逐周期电流限制（OCP）,过载保护(OLP),VDD电压钳位和低电压锁定(UVLO)。电路具有抖频功能以及软开关技术，保证了优秀的EMI性能，消除了低于20KHz的音频噪声。M5358采用DIP8封装。
特点
开关软启动可降低MOSFET的VDS压力
改善EMI的频率抖动技术
极低启动电流和工作电流
改善效率和待机功率*小化的扩展burst模式
消除音频噪声
50KHZ开关频率
完善的各种保护以及自恢复功能
逐周期电流限流
芯片供电欠压保护
自动重启功能
采用DIP-8 封装
应用
离线式AV-DC反激变换器
手机充电器，上网本充电器
笔记本适配器，机顶盒电源
各种开放式开关电源
典型应用：
输出功率表
|
产 品 |
230VAC±15% |
85-265VAC |
|
开放式 |
开放式 |
|
|
M5358PR |
27W |
16W |
说明:连续工作的*大功率是在开放的50度环境中，且转换器有有足够的散热条件下测得。
管脚描述：
|
管脚名称 |
I/O |
描述 |
|
GND |
P |
芯片地 |
|
INV |
I |
反馈信号输入端，PWM占空比由该脚的电压以及SEN脚的电流决定 |
|
VDD-G |
P |
内部栅极驱动电压 |
|
SEN |
I |
电流采样信号输入端 |
|
VDD |
P |
芯片电源 |
|
Drain |
O |
内部高压功率管漏极， 该脚连接到变压器的初级绕组输出端 |
*大极限参数：
|
参数 |
数值 |
|
内部高压功率管漏极（启动） |
-0.3V ~ BVdss |
|
芯片电源电压 |
-0.3V ~ 30 V |
|
内部栅极驱动电压 |
-0.3V ~ 30 V |
|
VDD钳位电流 |
10mA |
|
INV输入电压 |
-0.3 ~ 7V |
|
SEN输入电压 |
-0.3 ~ 7V |
|
*低/*高工作结温 |
-20 ~ 150℃ |
|
*低/*高储存温度 |
-55 to 150℃ |
|
过锡炉温度（10S） |
260℃ |
注：*大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。
芯片框图
