点击图片查看大图M5576是一款高集成度、高性能、电流模式PWM控制芯片，离线式AC-DC反激拓扑结构，具备低待机功耗和低成本优点。正常工作下，PWM开关频率处于合理的范围内，在空载或轻载条件下，IC工作在“跳周期模式”来减少开关损耗，从而实现低待机功耗和高转换效率，M5576提供完善的保护功能，包括自动恢复保护、逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）、VDD的欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）和过电压（固定或可调的）保护（OVP），具备抖频功能，改善系统的EMI性能。
特点：
■软启动功能，减少功率MOSFET的VDS应力
■跳周期模式控制的改进，提高效率降低待机功耗
■抖频功能，改善系统EMI性能
■消除音频噪声
■65KHz的开关频率
■完善的保护功能
ØVDD 欠压保护
Ø逐周的过流阈值设置，恒定输出功率
Ø自动恢复式过载保护（OLP）
Ø自动恢复式过温保护（OTP）
Ø锁定型的VDD过压保护(OVP)
Ø锁定型的过温保护（OTP）
Ø过压保护点OVP通过外部稳压二极管可调
■采用SOT-23-6和DIP-8封装
应用：
■手机充电器, 上网本充电器
■笔记本适配器
■机顶盒电源
■各种开放式开关电源
典型应用：
管脚描述：
极限参数：
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项目 |
参数值 |
单位 |
|
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*小值 |
*大值 |
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VDD直流供电电压 |
30 |
V |
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VDD 齐纳钳位电压 |
10 |
V |
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|
VDD 直流钳位电流 |
VDD_Clamp+0.1 |
mA |
|
|
COMP输入电压 |
-0.3 |
7 |
V |
|
SEN输入电压 |
-0.3 |
7 |
V |
|
OTP输入电压 |
-0.3 |
7 |
V |
|
*小/*大工作结温 |
-20 |
150 |
℃ |
|
*小/*大贮存温度 |
-55 |
165 |
℃ |
|
*高温度（焊接，10秒） |
260 |
℃ |
|
注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数是工作条件的极限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。
芯片内部框图：
芯片内部框图：