设备通常可以提供49.6 dBm的饱和输出功率与功率增益为17.5 dB在3 GHz。*大的功率效率是52%添加使TGF2023-2-20适合高效的应用程序。这个部分是无铅和通过无铅认证。
Key Features
- Frequency range: DC to 18 GHz
- 49.6 dBm nominal Psat at 3 GHz
- 52% maximum PAE
- 17.5 dB nominal power gain
- Bias: Vd = 28 to 32 V, Idq = 2 A, Vg = -3.6 V typical
- Technology: 0.25 um Power GaN on SiC
- Chip dimensions: 0.82 x 4.56 x 0.10 mm


