点击图片查看大图采用精简指令级结构（RISC）,CMOS工艺设计，内置脉宽调制输出（PWM）,高速16MHz RC振荡器等资源，具有工作速度快（1T），高抗EFT/ESD/Latch-up特性，低功耗等特品．
技术特性：
l 工作电压：2.4V-5.5V
l 工作电流：
正常模式：典型值2.5Ma(5/4MHz)
睡眠模式：典型值0.7Μa(5V)
l 温度范围
工作温度：-20℃～+70℃
储存温度：-30℃～+125℃
l 工作速度：16MIPS/16MHz Crystal
l 高度抗交流杂讯能力：
EFT测试标准：IEC1000-4-4
杂讯直接灌入芯片电源输入端
只需添加1颗2.2Uf/50V旁路电容
测试指标稳超4000V（欧规）
应用特性：
l ROM：1K*16
l RAM：48 bytes
l 振荡源选择：*大16MHz外部晶振、10MHz外部RC振荡、内部16MHz RC校准高速时钟及16KHz低速时钟
l CPU指令周期为1T，即每个指令执行时间为1个时钟振荡周期
l 满足低功耗要求、可编程设定四种工作模式：正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式
l 内置高速PWM/BUZZER输出接口，12MHz工作时，PWM输出*高可达375KHz
l 可编程设置上拉电阻的I/O口
l 内置实时时钟（RTC）
l 内置上电复位、低电压检测电路
l 内置看门狗定时器
l 59条精简指令集
适用领域
小家电、高阶智能玩具、遥控器、安防系统等对抗干扰或功耗有较高要求的消费类产品。