点击图片查看大图
上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
KRI 霍尔离子源 eH 400 特性：
• 可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
• 宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
• 多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统
• 高效的等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:
|
型号 |
eH 400 / eH 400 LEHO |
|
供电 |
DC magnetic confinement |
|
- 电压 |
40-300 V VDC |
|
- 离子源直径 |
~ 4 cm |
|
- 阳极结构 |
模块化 |
|
电源控制 |
eHx-3005A |
|
配置 |
- |
|
- 阴极中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
|
- 离子束发散角度 |
> 45° (hwhm) |
|
- 阳极 |
标准或 Grooved |
|
- 水冷 |
前板水冷 |
|
- 底座 |
移动或快接法兰 |
|
- 高度 |
3.0' |
|
- 直径 |
3.7' |
|
- 加工材料 |
金属 |
|
电介质 |
|
|
半导体 |
|
|
- 工艺气体 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
|
- 安装距离 |
6-30” |
|
- 自动控制 |
控制4种气体 |
|
* 可选: 可调角度的支架; |
|
KRI 霍尔离子源 应用领域:
离子辅助镀膜 IAD
• 预清洁 Load lock preclean
• In-situ preclean
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates·
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论, 请联络上海伯东邓女士, 分机134