点击图片查看大图品牌：ST
封装：PowerFLATTM 5x6
包装：3000pcs/盘
通道类型：N
*大连续漏极电流：90 A
*大漏源电压：60 V
*大漏源电阻值：5.4 mΩ
*大栅源电压：±20 V
封装类型：PowerFLAT
安装类型：表面贴装
引脚数目：8
晶体管配置：单
通道模式：增强
类别：功率 MOSFET
*大功率耗散：94 W
尺寸：5.4 x 6.35 x 0.95mm
长度：5.4mm
晶体管材料：Si
每片芯片元件数目：1
典型接通延迟时间：15 ns
典型栅极电荷@Vgs：25 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds：1600 pF @ 25 V
*高工作温度：+175 °C
典型关断延迟时间：24.4 ns
正向二极管电压：1.2V
系列：STripFET F7
高度：0.95mm
宽度：6.35mm