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部分编号：IXFK170N10

描述：高电压的Q -级HiPerFETs（高达1200V）

配置：单

包装样式号：TO - 264

状态：不适用于新设计：时代联系铅厂。

支持文档：数据表

Parameter IXFK170N10

VDSS, max, (V) 100

ID(cont), TC=25°C, (A) 170

RDS(on), max, TJ=25°C, (Ohm) 0.01

Ciss, typ, (pF) 103000

Qg, typ, (nC) 515

trr, typ, (ns)

trr, max, (ns) 175

PD, (W) 568

RthJC, max, (°C/W) 0.22











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