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一级代理三级管恩智浦可控硅NXP BT132-600D
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产 品: 浏览次数:384一级代理三级管恩智浦可控硅NXP BT132-600D 
型 号: BT132-600D 
规 格: SIP3 
品 牌: NXP恩智浦  
最小起订量: 10000 pcs 
供货总量: 999999 pcs
发货期限: 自买家付款之日起 3 天内发货
更新日期: 2016-09-27  有效期至:2017-03-28 [已过期]
详细信息
 一级代理三级管恩智浦可控硅NXP BT132-600D

采用SOT78塑料封装的平面钝化敏感门极四象限三端双向可控硅用于通用双向

开关和相位控制应用。这种超敏感门极“D系列”三端双向可控硅用于直接连接微

控制器、逻辑集成电路和其他低功耗门极触发电路。

特性和优势

直接连接逻辑电平IC

直接连接低功耗门极驱动器和微控制器

更强的电流浪涌耐受能力

高阻断电压能力

凭借平面钝化结构实现电压稳固性和可靠性

所有四个象限中的触发

超敏感门极

应用

空调室内风扇控制

电池供电的应用

通用开关和相位控制

SymbolParameterConditionsMinTyp/NomMaxUnitStatic characteristicsDynamic characteristics

VDRM repetitive peak off-state voltage       600 V
IT(RMS) RMS on-state current full sine wave; Tlead ≤ 51 °C     1 A
ITSM non-repetitive peak on-state current full sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 20 ms     16 A
ITSM non-repetitive peak on-state current full sine wave; Tj(init) = 25 °C; tp = 16.7 ms     17.5 A
Tj junction temperature       125 °C
IGT gate trigger current VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+; Tj = 25 °C   2 5 mA
IGT gate trigger current VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-; Tj = 25 °C   2.5 5 mA
IGT gate trigger current VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G-; Tj = 25 °C   2.5 5 mA
IGT gate trigger current VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2- G+; Tj = 25 °C   5 10 mA
IH holding current VD = 12 V; Tj = 25 °C   1.2 10 mA
VT on-state voltage IT = 5 A; Tj = 25 °C   1.4 1.7 V
dVD/dt rate of rise of off-state voltage VDM = 402 V; Tj = 125 °C; (VDM = 67% of VDRM); exponential waveform; RGT1(ext) = 1 kΩ   5

 

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