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FF1000R17IE4

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产品：	浏览次数：153FF1000R17IE4
型号：	FF1000R17IE4
规格：	FF1000R17IE4
品牌：	INFINEON
最小起订量：	10000000
供货总量：	10000000
发货期限：	自买家付款之日起 180 天内发货
更新日期：	2020-03-03 有效期至：2020-06-30 [已过期]

详细信息

FF1000R17IE4

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极*大电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 2.45 V
在25 C的连续集电极电流: 1390 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 6.25 kW
封装 / 箱体: PRIME3
*小工作温度: - 40 C
*大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 38 mm
长度: 250 mm
宽度: 89 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极*大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 2
子类别: IGBTs
零件号别名: FF1000R17IE4

制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极*大电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 2.45 V
在25 C的连续集电极电流: 1390 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 6.25 kW
封装 / 箱体: PRIME3
*小工作温度: - 40 C
*大工作温度: + 150 C
封装: Tray
高度: 38 mm
长度: 250 mm
宽度: 89 mm
商标: Infineon Technologies
安装风格: Chassis Mount
栅极/发射极*大电压: +/- 20 V
产品类型: IGBT Modules
工厂包装数量: 2
子类别: IGBTs
零件号别名: FF1000R17IE4

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