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	必易KP1079X非隔离芯片内置MOS省ES1J和MB10F 1、集成高压 500V MOSFET2、集成 600V 超快恢复二极管3、集成 800V 整流桥4、集成高压自供电电路供电电路5、无 VDD 电容设计6	2020-03-03
	必易KP127XN高P非隔离9-18W，省VCC和C电容 1、有源功率因数校正2、全电压功率因数 0.9，THD15%3、集成高压供电电路4、集成高压 600V/650V MOSFET5、无 VDD、COMP 电容设计6	2020-03-03